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快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力_4

字号+ 作者:新闻小编 来源:未知 2019-11-14 15:05 我要评论( )

:加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) 2017 年 7 月 6 日 亚德诺半导体 (Analog ......

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) 2017 年 7 月 6 日 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001,该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。

LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V (绝对最大值为 150V) 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

LTC7001 采用 MSOP-10 封装,其引线配置为提供高压间隔。该器件有 3 种工作结温级版本,扩展和工业级版本的温度范围为 40C 至 125C,高温汽车级版本则为 40C 至 150C,军用级版本为 55C 至 150C。千片批购价为每片 2.40 美元。如需更多信息,请登录 。

照片说明:快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

性能概要: LTC7001

宽 VIN 工作范围:0V 至 135V (150V 绝对最大值)

内部充电泵以实现 100% 占空比能力

1 下拉、2.2 上拉以实现快速接通和断开时间

快速 35ns 传播延迟

可调接通转换率

3.5V 至 15V 栅极驱动器电源

可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁

可调 VIN 过压闭锁

CMOS 兼容输入

本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。

3月10日,ADI完成对卓越的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后,ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情,请登录http://lt.linear.com/07c。

ADI 公司简介

Analog Devices (纳斯达克股票代码:ADI) 是全球领先的高性能模拟技术公司,致力于解决最棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用无与伦比的技术进行检测、测量、供电、连接和解读,智能地在现实和数字领域之间架起桥梁,从而了解我们周围的世界。详情请浏览 www.analog.com/cn。

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